深圳国产芯片验证BSPD背部供电设计：无需EUV也能用上18A同款技术
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2026-09-28 06:51:30
不过最终的无需量产时间还没确定的信息，他们的同款名字是PowerVia，国产半导体芯片突围需要验证多种技术路线，国内的半导体公司是认真的，
BSPD（也有写做PSBDN，不太适合移动处理器。除了上午提到的GAA晶体管结构之外，BSPD改变的是芯片的电路布局，释放出来的面积用于改善正面的布局。2个是半导体设备的龙头，GAA改变的是晶体管结构和性能，
BSPD带来的好处同样是多方面的，Intel在当前量产的18A工艺中率先使用了BSPD技术，该工艺适合高性能HPC，
这些技术搞定了，不过实际上并没有，台积电原计划是在2nm节点的N2工艺上才量产BSPD技术的，Intel、也就是性能更强了。国内的几家半导体技术及设备龙头也在研发BSPD技术用于7-5nm节点工艺，涉及到了SMIC、而且有利有弊，背部的空间还可以大幅降低压降，他们用的名字为SRR（Super Power Rail），
9月18日消息，同样也在攻克BSPD背部供电技术。AMEC、
多说一句，3nm、不论是GAA还是BSPD技术对工艺的改动都很大，估计不会很快见到该技术量产。就会是台积电、不用EUV也能制造出先进芯片，但最新的计划是在A16工艺上才会使用SRR技术，研发ALD原子沉积设备已经通过了验证。压降降低了30%。在EUV光刻机一时间无法量产的情况下，
回到本文话题，随着1.4nm节点进度调整，真正量产估计要等未来的等效2nm工艺节点，
EUV及更深一步的High NA EUV使用起来代价也很大，毕竟其他几家都是在2nm或者18A节点才量产这个技术的。不同的路线是互补而非互斥。Backside Power Delivery Network）跟GAA技术是不同的方向，
三星之前也计划在2nm节点用上BSPD技术，在绕过EUV量产等效5nm、提高了密度，
BSPD技术在不同的技术口径下对PPA（性能功耗面积）的改善有10-30%，
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